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巖崎半導(dǎo)體曲線圖示儀的使用事項(xiàng)
更新日期：
2017-05-31
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巖崎半導(dǎo)體曲線圖示儀是一種用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線的儀器，并可測(cè)量低頻靜態(tài)參數(shù)。巖崎半導(dǎo)體曲線圖示儀可以測(cè)試多種半導(dǎo)體二極管、三極管、光耦、可控硅集成門(mén)電路等半導(dǎo)體器件。是從事半導(dǎo)體管研究制造及無(wú)線電領(lǐng)域工作者的一種*的儀器。
1．特別要了解被測(cè)晶體管的集電極zui大允許耗散功率PCM，集電極對(duì)其它極的zui大反向擊穿電壓如V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)CER，集電極zui大允許電流ICM等主要指標(biāo)；
2．在測(cè)試前首先要將極性與被測(cè)管所需的極性相同即可選擇PNP或NPN的開(kāi)關(guān)置于規(guī)定位置；
3．將集電極電壓輸出按至其輸出電壓不應(yīng)超過(guò)被測(cè)管允許的集電極電壓，同時(shí)將峰值電壓旋至零，輸出電壓按至合適的檔級(jí)并將功耗限制電阻置于一定的阻值，同時(shí)將X、Y偏轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)置于合適的檔級(jí)，此檔級(jí)以不超過(guò)上述幾個(gè)主要直流參數(shù)為原則；
4．對(duì)被測(cè)管進(jìn)行必要的結(jié)算，以選擇合格的X階梯電流或電壓，原則以不超過(guò)被測(cè)管的集電極zui大允許耗損功率；
5．在進(jìn)行ICM的測(cè)試時(shí)一般采用單次階梯為宜，以免被測(cè)管的電流擊穿；
6．在進(jìn)行IC或ICM測(cè)試中應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實(shí)際情況，不應(yīng)超過(guò)本儀器規(guī)定的zui大電流。
朱穎
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